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我校电子迷信与技能学院韩素婷副传授在《Advanced Materials》发布新效果

公布日期:2018-11-02

我校电子迷信与技能学院韩素婷副传授团队近来在光电阻变存储器方面获得严重停顿。研讨效果“Infrared-Sensitive Memory Based on Direct-Grown MoS2–Upconversion-Nanoparticle Heterostructure”以卷首文章的方式发布在《Advanced Materials》上(Adv. Mater., 2018, 1803563)(影响因子为21.950, 中科院JCR一区,Top期刊)。该文章的第一著作人为电子迷信与技能学院博士后翟永彪,888sl集团网址为第一单元及通讯单元,香港都会大学王锋传授为配合通讯著作人。

构造简化,功用化和多样化是后摩尔期间电子存储技能开展的次要趋向。光电阻变存储器由于其构造复杂,易于集成和存储密度初等长处,成为以后研讨热门。但是以后研讨次要会合在应用紫外光或可见光来调控光电存储器。与紫外光或可见光相比,近红外光具有较大的生物穿透深度且对构造无毁伤,在植入式和可穿着柔性电子设置装备摆设中具有更黑暗更宽广的使用远景,但是由于其光子能量较小,无法激起大少数半导体资料。因而怎样应用近红外光调控阻变存储器并进而完成多比特存储是一个急迫需求处理的迷信题目。针对上述技能题目和应战,该课题组奇妙设计了二硫化钼和上转换纳米颗粒的复合资料(MoS2–Upconversion-Nanoparticle),并将这种资料使用于阻变存储器中。于上转换资料可以吸取近红外光然后发射可见光,而发射出的近红外光可以再次激起二硫化钼发生激子;同时发生的激子可以在二硫化钼/上转换颗粒异质结界面别离成电子和空穴改动资料导电才能。经过改动近红外光光照强度,阻变存储器电阻态会相应改动,体现出多级存储特性,进步了存储器存储密度。本实行不只弥补了应用近红外光调控阻变存储器的空缺,并且可以将其使用于电子眼等设置装备摆设中,为下一代高功能光电存储器及光电器件的开辟和集成提供了新思绪。

该项目失掉了国度天然迷信基金,广东省教诲厅,广东省科技厅,深圳市科创委等项目标赞助。

文章链接:

http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.201803563

 

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